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元件参数资料
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参数目录39993
> BSL308C L6327 MOSFET P/N-CH 30V 6TSOP
型号:
BSL308C L6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET P/N-CH 30V 6TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
BSL308C L6327 PDF
标准包装
3,000
系列
OptiMOS™
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 11µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
500nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
275pF @ 15V
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商设备封装
6-TSOP
包装
带卷 (TR)
其它名称
BSL308CL6327HTSA1
SP000473910
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